مقاومت در برابر اکسیداسیون کاربید سیلیکون
سیلیکون کاربید در دمای بالا در کوره ای از نوع مقاومت الکتریکی با ماسه کوارتز و کک نفتی به عنوان مواد اولیه اصلی تولید می شود. سختی آن بین آلومینای ذوب شده و الماس مصنوعی است. شدت مکانیکی آن بیش از حد آلومینای ذوب شده است. شکننده و تیز است و تا حدی دارای هدایت الکتریکی و گرما است.
مهمترین ویژگی شیمیایی کاربید سیلیکون مقاومت در برابر اکسیداسیون آن است. وقتی کاربید سیلیکون در هوا به بیش از 1000 ℃ گرم شود ، فقط روی سطح آن اکسید می شود و یک فیلم دی اکسید سیلیکون تشکیل می دهد ، که باعث می شود کاربید سیلیکون دارای خواص بهتری باشد. خواص آنتی اکسیدانی. در دمای 1300 درجه سانتیگراد ، کریستوبالیت در دی اکسید سیلیکون لایه فیلم نازک رسوب می کند و تغییر شکل کریستال باعث ترک خوردن لایه فیلم نازک می شود ، در نتیجه سرعت اکسیداسیون افزایش می یابد. در دمای 1500 تا 1600 درجه سانتیگراد ، ضخیم شدن لایه SiO2 اثر اکسیداسیون را محدود می کند ، که باعث می شود SiC به مدت طولانی در دمای بالای 1600 درجه سانتیگراد پایدار استفاده شود.